خودرو و سیستم ها و تکنولوژی های مربوطه

خودرو

ﻛﻨﺘﺮل ﻣﻮﻗﻌﻴﺖ ﺻﻨﺪﻟﻲ Seat Position Controls

ﻛﻨﺘﺮل ﻣﻮﻗﻌﻴﺖ ﺻﻨﺪﻟﻲ  

ﮐﻨﺘﺮﻝ (ﺍﻟﮑﺘﺮﻭﻧﻴﮑﻲ) ﻣﻮﻗﻌﻴﺖ ﺻﻨﺪﻟﻲ

Seat Position Controls

ﻳﮏ ﻣﻔﻬﻮﻡ ﺟﺪﻳـﺪ ﺩﺭ ﺧﻮﺩﺭﻭﻫـﺎ   

ﻧﻴﺴﺖ. ﭘﻴﺸﺮﻓﺖ ﻫﺎي ﺍﺻﻠﻲ ﺩﺭ ﮐﻨﺘﺮﻝ ﺻﻨﺪﻟﻲ ﺍﻟﮑﺘﺮﻭﻧﻴﮑﻲ ﺑـﺮ ﺭﻭي ﻋﻤﻠﮑـﺮﺩ،   

ﺭﺍﺣﺘﻲ ﻭ ﺍﺳﺘﻔﺎﺩﻩ ﺁﺳﺎﻥ ﻣﺘﻤﺮﮐـﺰ ﺷـﺪﻩ    ﺍﺳـﺖ. ﺩﺭ ﺍﺑﺘـﺪﺍ ﮐﻨﺘـﺮﻝ ﺻـﻨﺪﻟﻲ ﻫـﺎ،    

ﻣﺤﺪﻭﺩ ﺑﻪ ﺣﺮﮐﺖ ﻳﮏ ﺟﻬﺘﻲ ﺟﻠﻮ ﺑﻪ ﻋﻘﺐ ﺑﻮﺩ. ﺧﻮﺩﺭﻭ ﻫﺎي ﭘﻴﺸﺮﻓﺘﻪ ﻣﻌﻤـﻮﻻ  

ﮐﻨﺘﺮﻝ ﺻﻨﺪﻟﻲ ٦ ﻳﺎ ٨ ﺟﻬﺘﻪ ﺭﺍ ﺩﺭ ﺍﺧﺘﻴﺎﺭ  ﺩﺍﺭﻧـﺪ ﮐـﻪ ﺷـﺎﻣﻞ ﻗﺎﺑﻠﻴـﺖ ﺗﻨﻈـﻴﻢ      

ﺑﺮﺍي ﺍﺭﺗﻔﺎﻉ، ﺯﺍﻭﻳﻪ، ﻣﻮﻗﻌﻴﺖ ﺟﻠﻮ ﻭ ﭘﺸﺘﻲ ﺻﻨﺪﻟﻲ ﺭﺍ ﺩﺍﺭﺩ.  

ﺩﺭ ﺗﻼﺵ ﻫﺎي ﺩﻳﮕـﺮ  ﺳـﻌﻲ ﺩﺭ ﺭﺍﺣﺘـﻲ ﺳﺮﻧﺸـﻴﻨﺎﻥ    ﺧﻮﺩﺭﻭﻫـﺎ ﺍﺯ ﻟﺤـﺎﻅ   

ﮔﺮﻣﻲ ﻭ ﺳﺮﺩي ﺻﻨﺪﻟﻲ ﺷﺪﻩ ﺍﺳﺖ. ﻫﻤﭽﻨـﻴﻦ ﺍﺯ ﺩﻳﮕـﺮ ﺍﻣﮑﺎﻧـﺎﺕ ﺍﻳﺠـﺎﺩ ﻳـﮏ      

ﺣﺎﻓﻈﻪ ﺑﺮﺍي ﺫﺧﻴﺮﻩ ﺍﻧﻮﺍﻉ ﻣﻮﻗﻌﻴﺖ ﻫﺎي ﺻﻨﺪﻟﻲ ﻣـﻲ ﺑﺎﺷـﺪ ﮐـﻪ ﺑـﺎ ﺯﺩﻥ ﻳـﮏ      

ﺩﮐﻤﻪ ﻣﻮﻗﻌﻴﺖ ﺩﻟﺨﻮﺍﻩ ﻗﺎﺑﻞ ﺍﻧﺘﺨﺎﺏ ﺍﺳﺖ.   

  ﺑﺮﺧﻲ ﺷﺮﮐﺘﻬﺎي ﺗﻮﻟﻴﺪ ﮐﻨﻨﺪﻩ ﺍﻳﻦ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺩﺭ ﺟﻬﺎﻥ ﻋﺒﺎﺭﺗﻨﺪﺍﺯ

Bosch, Brose, Continental, Delphi, Johnson Controls, Lear 

Corporation

+ نوشته شده در  جمعه بیست و دوم دی 1391ساعت 12:18  توسط مهدی  | 

ﺳﻨﺴﻮرﻫﺎ در ﺻﻨﺎﻳﻊ ﺧﻮدرو 1

1.ﺳﻨﺴﻮرﻫﺎي ﺿﺒﻂ ﻛﻨﻨﺪه ﺗﺼﺎدف ﻳﺎ داده ﻫﺎي روﻳﺪاد 

ﺳﻨﺴﻮﺭﻫﺎي ﺿﺒﻂ ﮐﻨﻨﺪﻩ ﺩﺍﺩﻩ ﻫﺎي ﺭﻭﻳﺪﺍﺩ

ﮐﻪ ﺑـﻪ   ﻋﻨـﻮﺍﻥ ﺛﺒـﺖ ﮐﻨﻨـﺪﻩ   

ﺍﻃﻼﻋﺎﺕ ﺑﺮﺧﻮﺭﺩ ﻳﺎ ﺗﺼﺎﺩﻑ

ﻧﻴﺰ ﺷﻨﺎﺧﺘﻪ ﻣﻲ ﺷﻮﻧﺪ، ﺳﻴﺴـﺘﻢ ﻫـﺎﻳﻲ ﻫﺴـﺘﻨﺪ  

ﮐﻪ ﺍﻃﻼﻋﺎﺕ ﻣﺮﺗﺒﻂ ﺑﺎ ﻓﻌﺎﻟﻴﺖ ﺧﻮﺩﺭﻭ ﺭﺍ ﺛﺒـﺖ ﻣـﻲ    ﮐﻨﻨـﺪ ﻭ ﺩﺭ ﺻـﻮﺭﺕ ﺑـﺮﻭﺯ   

ﺗﺼﺎﺩﻑ ﻣﻲ ﺗﻮﺍﻥ ﺑﻪ ﮐﻠﻴﻪ ﺍﻃﻼﻋﺎﺕ ﺑﺨﺶ ﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻳﮏ ﻣﺎﺷـﻴﻦ ﺩﺭ ﭼﻨـﺪ  

ﺛﺎﻧﻴﻪ ﻗﺒﻞ ﻭ ﺑﻌﺪ ﺍﺯ ﺗﺼﺎﺩﻑ ﺩﺳﺘﺮﺳﻲ ﺩﺍﺷﺖ.  

ﺳﺎﺧﺘﻤﺎﻥ ﺍﻳﻦ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﻫﺎ ﻣﺎﻧﻨﺪ ﺟﻌﺒﻪ ﺳﻴﺎﻩ ﻫﻮﺍﭘﻴﻤﺎﻫﺎﺳﺖ. ﺍﻳﻦ ﺳﻴﺴـﺘﻢ  

ﻫﺎ ﭘﺎﺭﺍﻣﺘﺮﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺧـﻮﺩﺭﻭ ﺭﺍ ﺍﺯ ﻗﺒﻴـﻞ ﺳـﺮﻋﺖ ﺧـﻮﺩﺭﻭ، ﻣﻮﻗﻌﻴـﺖ ﭘـﺪﺍﻝ،       

ﻣﻮﻗﻌﻴﺖ ﻓﺮﻣﺎﻥ ﺧﻮﺩﺭﻭ ﻭ ﺩﻳﮕـﺮ ﺍﻃﻼﻋـﺎﺕ    ﺧـﻮﺩﺭﻭ ﺭﺍ ﺛﺒـﺖ ﻣـﻲ   ﮐﻨﻨـﺪ ﻭ ﺍﻳـﻦ ﺍﻃﻼﻋﺎﺕ ﻣﻲ ﺗﻮﺍﻧﺪ ﺗﻮﺳﻂ ﮐﺎﺭﺷﻨﺎﺳﺎﻥ ﺗﺼﺎﺩﻓﺎﺕ ﺑﻌﺪﺍ ﻣﻮﺭﺩ ﺍﺳـﺘﻔﺎﺩﻩ ﻗـﺮﺍﺭ ﺩﺍﺩﻩ   

ﺷﻮﺩ.  

ﻻﺯﻡ ﺑﻪ ﺫﮐﺮ ﺍﺳﺖ ﮐﻪ ﺷﺮﮐﺖ ﺗﻮﻳﻮﺗﺎ ﺍﻋﻼﻡ ﮐﺮﺩﻩ ﺍﺳﺖ ﮐﻪ ﺗﺎ ﻗﺒﻞ ﺍﺯ ﭘﺎﻳـﺎﻥ  

ﺳــﺎﻝ ٢٠١٠ ﺗﻤــﺎﻣﻲ ﻣﺤﺼــﻮﻻﺕ ﺟﺪﻳــﺪ ﺗﻮﻳﻮﺗــﺎ ﻭ ﻟﮑﺴــﻮﺯ ﺑــﻪ EDRs ﻣﺠﻬــﺰ

ﺧﻮﺍﻫﻨﺪ ﺷﺪ.  

ﺑﺮﺧﻲ ﺷﺮﮐﺘﻬﺎي ﺗﻮﻟﻴﺪ ﮐﻨﻨﺪﻩ ﺍﻳﻦ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺩﺭ ﺟﻬﺎﻥ ﻋﺒﺎﺭﺗﻨﺪ ﺍﺯ:

Bosch, Fujitsu, HK E-CAR, KCI Communications, Mobile 

Watchman. 

+ نوشته شده در  جمعه بیست و دوم دی 1391ساعت 12:11  توسط مهدی  | 

سلام . دوستان عزیز نظر یادتون نره . و اگر سوال یا 


موضوعی مدنظر شماست در قسمت نظرات بگویید

 

تاشاید بنده بتوانم کمکی کرده باشم 


+ نوشته شده در  جمعه بیست و دوم دی 1391ساعت 11:51  توسط مهدی  | 

نانولوله کربنی

نانولوله کربنی


1
تصویر سه بعدی از یک لوله کربنی

نانولوله‌های کربنی‌ که از صفحات کربن به ضخامت یک اتم و به شکل استوانه‌ای توخالی ساخته شده‌است در سال ۱۹۹۱ توسط سامیو ایجیما (از شرکت NEC ژاپن) کشف شد.

خواص ویژه و منحصر به فرد آن از جمله مدول یانگ بالا و استحکام کششی خوب از یک طرف و طبیعت کربنی بودن نانولوله‌ها (به خاطر این که کربن ماده‌ای است کم وزن، بسیار پایدار و ساده جهت انجام فرایندها که نسبت به فلزات برای تولید ارزان‌تر می‌باشد) باعث شده که در دهه گذشته شاهد تحقیقات مهمی در کارایی و پرباری روش‌های رشد نانولوله‌ها باشد. کارهای نظری و عملی زیادی نیز بر روی ساختار اتمی و ساختارهای الکترونی نانولوله متمرکز شده‌است. کوشش‌های گسترده‌ای نیز برای رسیدگی به خواص مکانیکی شامل مدول یانگ و استحکام کششی و ساز وکار عیوب و اثر تغییر شکل نانولوله‌ها بر خواص الکتریکی صورت گرفته‌است. می‌توان گفت این علاقه ویژه به نانولوله ها از ساختار و ویژگی‌های بی‌نظیر آن‌ها سرچشمه می‌گیرد.


ادامه مطلب
+ نوشته شده در  یکشنبه سوم دی 1391ساعت 1:18  توسط مهدی  | 

زوج دارلینگتون

زوج دارلینگتون


زوج دارلینگتون

در الکترونیک، ترانزیستور دارلینگتون که اغلب زوج دارلینگتون (به انگلیسی:Darlington pair) نامیده می شود یک ساختار ترکیبی است که شامل دو ترانزیستور دو قطبی (به صورت مجتمع یا قطعات مجزا) به هم متصل است.(در این ترکیب امیتر ترانزیستور اول به بیس ترانزیستور دوم متصل شده است. اینمدار در حقیقت متشکل از دو امیتر فالوئر یا کلکتور مشترک می باشد.) که جریان تقویت شده به وسیلهترانزیستور اول را، توسط ترانزیستور دوم بیشتر تقویت می کند.این پیکر بندی، گین جریان (β، hfe، hFE) بیشتری نسبت به هر ترانزیستور جداگانه، به ما می دهد و در حالت مجتمع فضای کمتری از دوترانزیستور جداگانه اشغال می‌کند . همچنین ای مدار مقاومت ورودی به مراتب بزرگتری از امیتر فالوئر یا کلکتور مشترک (با مقاومت ورودی زیر ۵۰۰ کیلو اهم) دارد و بهره ولتاژ خیلی نزدیک تر به واحد و بهره جریان بسیار بزرگ تری است. مقاومت خروجی مدار دارلینگتون، ممکن است بزرگ تر یا کوچک تز از یک طبقه امیتر فالوئر باشد.

زوج دارلینگتون به وسیله مهندس آزمایشگاه‌های بل، سیدنی دارلینگتون در سال ۱۹۵۳ اختراع شده است. یک ترکیب مشابه اما با دو نوع مختلف ترانزیستور (NPN و PNP) زوج زیکلای می‌باشد که گاهی اوقات مکمل دارلینگتون نامیده می شود.


ادامه مطلب
+ نوشته شده در  یکشنبه سوم دی 1391ساعت 0:33  توسط مهدی  | 

ماسفت (MOSFET)

ماسفت

ماسفت شامل پایه های گیت(G)،درین(D)،سورس(S) و بدنه(B)ماسفت یا ترانزیستور اثرمیدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (به انگلیسیmetal–oxide–semiconductor field-effect transistor ٫ MOSFET )‏ معروف‌ترین ترانزیستور اثرمیدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است.این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیش‌رفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ ۱۹۷۰م، بارِ دیگر نگاه‌ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.

در ترانزیستور اثرِ میدان ( FET ) چنان که از نام اش پیدا است، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد.عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزاشده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (به انگلیسیIGFET ، Insulated Gate FET)‏ نیز گفته میشود.[۱]

مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS، را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت؛ بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ ) نیازی به مقاومت، دیود، یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند.[۲] همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم اکنون بیش‌تر از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.

ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل ( الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند.


ادامه مطلب
+ نوشته شده در  یکشنبه سوم دی 1391ساعت 0:27  توسط مهدی  | 

ساخت شارژر بدون سیم برای خودروهای الکتریکی

با توجه به وابستگی روز افزون ما به انرژی‌های نو، امروزه  بیش از هر زمانی  نیاز ما به فناوری‌های جدید در این زمینه بیشتر شده است. یکی از بزرگ‌ترین اهداف این کار ساخت خودروهای الکتریکی با پایداری بیشتر منبع تغذیه یعنی باتری بود. اما مشکلاتی از قبیل خالی شدن سریع شارژ باتری و در کنار آن عدم امکان شارژ به صورت سریع و در هر مکانی کار را تا حدی دشوار کرده بود. اما محققان دانشگاه بریتیش کلمبیا به تازگی ادعا کرده‌اند که  دنیای خودرو های الکتریکی را با ساخت شارژرهای بی سیم متحول خواهند کرد.

پروفسور لورن وایت هد عضو دپارتمان فیزیک دانشگاه بریتیش کلمبیا می‌گوید او و تیمش توانسته‌اند به فناوری‌ای دست پیدا کنند که می‌تواند خودروهای الکتریکی را بدون سیم و با فرکانسی ۱۰۰ برابر کمتر از آنچه که در حال حاضر مورد استفاده قرار می‌گیرد شارژ کند.

اما یکی از بزرگ‌ترین مشکلات شارژ کردن خودروها بدون سیم، قدرت و فرکانس بالای امواج الکترومغناطیسی و آثار نامعلوم آن بر روی انسان است. برای رفع این مشکل، محققان دانشگاه با کار بر روی یک فناوری جدید به نام “چرخ دنده‌های مغناطیسی راه دور” سیستمی طراحی کرده‌اند که به طور موفقیت آمیز بر روی خودروهای دانشکده مورد آزمایش قرار گرفته است.

به نقل از پروفسور وایت هد؛ این دستگاه از دو قسمت مغناطیسی تشکیل شده است. قسمت اصلی آن که به شبکه برق اتصال دارد درون پارکینگ خودروها، و بخش دیگر آن درون بدنه‌ی خودرو جا گذاری شده است. بخش بیرونی سیستم با ایجاد تأثیر بر روی بخش درونی باعث به چرخش در آمدن آن شده که در نهایت منجر به تولید برق به روش القای الکترومغناطیسی می‌شود. با این روش به محض ورود خودرو به پارکینگ عملیات شارژ مجدد شروع خواهد شد.

نتایج از زمان شروع آزمایش سیستم نشان دهنده‌ی رضایت کامل افراد استفاده کننده از سیستم است.

تا کنون چهار ایستگاه شارژ بی سیم در پارکینگ‌های دانشگاه تعبیه شده است. آمار نشان می‌دهد که سیستم جدید بیش از ۹۰ درصد بهتر از سیستم شارژ خودروها از طریق سیم عمل می‌کند! مدت زمان شارژ کامل چهار ساعت است که بعد از شارژ خودرو قادر به هشت ساعت حرکت می‌باشد.

در حقیقت این سیستم اولین بار در دستگاه‌های پزشکی مانند ضربان سازهای مصنوعی به کار گرفته شده بود با وجود این فناوری به طور کامل در دفتر اختراعات دانشگاه ثبت شد

+ نوشته شده در  سه شنبه چهاردهم آذر 1391ساعت 21:47  توسط مهدی  | 

درجات آزادی خودرو

درجات آزادی خودرو
از انجا که دیدگاه عمده در دینامیک خودرو نگرش اجسام صلب(Multi-Body) است بنابراین خودرو یک جسم صلب با گستره فضایی در نظر گرفته میشود. برپایه تعریف درجات ازادی یک جسم صلب دارای 6درجه آزادی می باشد که حرکات متناظر بااین درجات حرکات مستقل جسم راشکل میدهد. بنابراین برای نمایش حرکات خودرو  درجات آزادی زیر به کار می رود: 
1.حرکت طولی Longitudinal:حرکت خطی خودرو در راستای طولی
2.حرکت کناری Lateral:حرکت خطی خودرو در راستای کناری
3.حرکت عمودی Vertical:حرکت خطی خودرو در راستای عمودی
4.حرکت غلت زنی Roll:حرکت  زاویه ای حول محور طولی
5.حرکت کله زنی Pitch:حرکت زاویه ای حول محور کناری می باشد و به دو حرکت کله زنی و روبه جلو و رو به پشت که در هنگام ترمزگیری و شتابگیری ایجاد میگردد تقسیم میشود .
6.حرکت چرخ زنی Yaw: حرکت زاویه ای حول محور عمودی 
 



ادامه مطلب
+ نوشته شده در  شنبه یازدهم آذر 1391ساعت 22:13  توسط مهدی  | 

هندسه تعلیق و فرمان

هندسه تعلیق و فرمان: 

1.حرکت چرخها:

چرخ های خودرو هنگامی درست حرکت می کنند که میان نیروهای اعمال شده از جاده بر انها تعادل مطلوبی وجود داشته باشد . نیروهای اعمالی به چرخ ها به قرار زیر می باشد: 

1. نیروی اصطکاک 

2.نیروی شتاب گیری

3.نیروی گریز از مرکز

.نیروی ایرودینامیک

5.نیروی حاصل از شیب جاده

+ نوشته شده در  پنجشنبه نهم آذر 1391ساعت 20:23  توسط مهدی  | 

ساز و کارهای موثر بر دینامیک خودرو

زیر بخش های مهم خودرو از دیدگاه  دینامیک خودرو و تاثیرات آنها بر مودهای حرکتی خودرو به چند دسته تقسیم می شود : 

1. سیستم تعلیق: فرمان پذیری . قرارپذیری و خوش سواری

2.سیستم فرمان: فرمان پذیری و فرماندهی(Steerability)

3.سیستم ترمز: کارکرد ترمزی و فرمان پذیری

4.مجموعه چرخ : فرمان پذیری. سواری و کارکرد

کارکرد خوب خودرو در مانوردهی به ویژگی های تایر _کارکرد سیستم های تعلیق و فرمان _ پراکندگی سنگینی خودرو و... بستگی دارد . سختی کناری تایر منبع برانگیزش نیروهای سمتی خودرو است . بنابراین پارمترهای  موثر بر سختی کناری تایر بر واکنش سمتی خودرو  نیز تاثیر گذار مباشند. اگر تایرهای جلو پیش از تایرهای عقب اشباع شوند و قفل گردند کنترل خودرو از دست راننده خاج  شده  واز مسیر مطلوب  منحرف می گردد. اگر تایرهای  جلو اشباع شوند انگاه چرخش نا مطلوب حول محور چرخش رخ می دهد. سازوکار تعلیق و فمان از مهمترین عوامل تاثیر گذار بر سختی کناری تایرها  هستند که در هنگام حرکت خودرو  بطور پویا بر پاسخ خودرو  اثر میگذارند. تاثیر این سازوکار کارها به دو صورت است: 

1. تغییرات سیسنماتیکی مکانیزم های تعلیق و فرمان درهنگام چرخش

2. تاثیر ثابت الاستودمپ سازو کار تعلیق

+ نوشته شده در  پنجشنبه نهم آذر 1391ساعت 20:6  توسط مهدی  | 

مطالب قدیمی‌تر